SI3905DV-T1-E3
Modello di prodotti SI3905DV-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
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Modello ECAD
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codice articolo del costruttore SI3905DV-T1-E3 Categoria  
fabbricante Vishay / Siliconix Descrizione MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Pacchetto / caso 6-TSOP quantità disponibile 13524 pcs
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min) Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP Serie TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 4.5V Potenza - Max 1.15W
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 8V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - Configurazione 2 P-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base SI3905 SI3905DV-T1-E3 Dettagli PDF [English] SI3905DV-T1-E3 PDF - EN.pdf
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