SI3905DV-T1-GE3 | |
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Modello di prodotti | SI3905DV-T1-GE3 |
fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
quantità disponibile | 10343 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | |
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SI3905DV-T1-GE3 Price |
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Informazioni tecniche di SI3905DV-T1-GE3 | |||
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codice articolo del costruttore | SI3905DV-T1-GE3 | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrizione | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
Pacchetto / caso | Tape & Reel (TR) | quantità disponibile | 10343 pcs |
Vgs (th) (max) a Id | 450mV @ 250µA (Min) | Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Potenza - Max | 1.15W | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 8V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.15W Surface Mount 6-TSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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Datasheet SI3905DV-T1-GE3 | Scarica la scheda tecnica SI3905DV-T1-GE3 | Produttore Electro-Films (EFI) / Vishay |
Parti correlate per SI3905DV-T1-GE3 | |||||
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SI3911DV-T1 MOSFETIGBTIC | VISHAY SOT23-6 | VISHAY | ||
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SI3900DV-T1-E3 IC | VISHAY 6-TSOP | VISHAY | ||
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SI3905DV-T1 | SI3905DV-T1 ROHM | ROHM | ||
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SI3905DV-T1 IC | SILICONIX SOT163 | SILICONIX | ||
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SI3905DV-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3905DV-T1-GE3 MOS | VISHAY TSOP-6 | VISHAY | ||
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SI3911DV-T1 | SI3911DV-T1 VISHAY | VISHAY | ||
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Si3900DV-T1-GE3 MOS | VISHAY TSOP-6 | VISHAY | ||
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SI3905DV-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3900DV-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3909DV-T1 | SI3909DV-T1 VISHAY | VISHAY | ||
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SI3909DV-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3900DV-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3909DV-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3900DV-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3909DV-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3905DV-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3909DV-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3911DV | SI3911DV SI | SI | ||
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