SI3905DV-T1-GE3
Modello di prodotti SI3905DV-T1-GE3
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
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codice articolo del costruttore SI3905DV-T1-GE3 Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay Descrizione MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Pacchetto / caso Tape & Reel (TR) quantità disponibile 10343 pcs
Vgs (th) (max) a Id 450mV @ 250µA (Min) Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP
Serie TrenchFET® Rds On (max) a Id, Vgs 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Potenza - Max 1.15W imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Tensione drain-source (Vdss) 8V
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 1.15W Surface Mount 6-TSOP Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -
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