| SI3867DV-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SI3867DV-T1-GE3 |
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP |
| quantità disponibile | 18990 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | |
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| Informazioni tecniche di SI3867DV-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SI3867DV-T1-GE3 | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP |
| Pacchetto / caso | Tape & Reel (TR) | quantità disponibile | 18990 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 1.4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 51 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) |
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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