| SI3900DV-T1-GE3 | |
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| Modello di prodotti | SI3900DV-T1-GE3 |
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| quantità disponibile | 21843 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | |
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| Informazioni tecniche di SI3900DV-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SI3900DV-T1-GE3 | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Pacchetto / caso | Tape & Reel (TR) | quantità disponibile | 21843 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA | Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Potenza - Max | 830mW | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Altri nomi | SI3900DV-T1-GE3TR SI3900DVT1GE3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2A |
| Numero di parte base | SI3900 | SI3900DV-T1-GE3 Dettagli PDF [English] | SI3900DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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| Parti correlate per SI3900DV-T1-GE3 | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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SI3905DV-T1 IC | SILICONIX SOT163 | SILICONIX | ||
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SI3909DV-T1 | SI3909DV-T1 VISHAY | VISHAY | ||
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SI3867DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3900DV | SI3900DV VISHAY | VISHAY | ||
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SI3900DV-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3905DV-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3905DV-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3905DV-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3905DV-T1 | SI3905DV-T1 ROHM | ROHM | ||
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SI3879DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3905DV-T1-GE3 MOS | VISHAY TSOP-6 | VISHAY | ||
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SI3900DV-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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Si3900DV-T1-GE3 MOS | VISHAY TSOP-6 | VISHAY | ||
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SI3900DV-T1-E3 IC | VISHAY 6-TSOP | VISHAY | ||
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SI3900DV-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI3867DV-T1-GE3 MOS | VBSEMI TSOP6 | VBSEMI | ||
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SI3879DV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3879DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3905DV-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI3879DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP | Vishay Siliconix | ||
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